特許
J-GLOBAL ID：200903049663088755
金属的カーボンナノチューブの破壊方法、半導体的カーボンナノチューブ集合体の製造方法、半導体的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、半導体的カーボンナノチューブの破壊方法、金属的カーボンナノチューブ集合体の製造方法、金属的カーボンナノチューブ薄膜の製造方法、電子素子の製造方法、カーボンナノチューブ集合体の製造方法、金属的カーボンナノチューブの選択的反応方法および半導体的カーボンナノチューブの選択的反応方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-219846
公開番号（公開出願番号）：特開2007-031239
出願日： 2005年07月29日
公開日（公表日）： 2007年02月08日
要約：
【課題】 簡便な方法で金属的カーボンナノチューブあるいは半導体的カーボンナノチューブを確実に破壊することができる方法を提供する。 【解決手段】 半導体的カーボンナノチューブ2と金属的カーボンナノチューブ3との混合物にレーザ光などのエネルギービーム5を照射することにより、金属的カーボンナノチューブ3あるいは半導体的カーボンナノチューブ2を選択的に破壊する。照射するエネルギービームとしては、破壊しようとする金属的カーボンナノチューブ3あるいは半導体的カーボンナノチューブ2により共鳴吸収されるエネルギー成分を有するものが用いられる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
エネルギービームを照射することにより金属的カーボンナノチューブを破壊するようにしたことを特徴とする金属的カーボンナノチューブの破壊方法。
IPC (3件)：
C01B 31/02
, H01L 29/786
, B82B 3/00
C01B31/02 101F
, H01L29/78 618B
, B82B3/00
4G146AA11
, 4G146AD21
, 4G146AD30
, 4G146BA04
, 4G146BC15
, 4G146CB17
, 5F110AA05
, 5F110AA30
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110FF02
, 5F110GG01
, 5F110GG58
