特許

J-GLOBAL ID：200903049679677238

化合物半導体薄膜の形成法と同薄膜を用いた光電変換素子

発明者： 澁谷 聡 ,  尾村 邦嘉 ,  西尾 剛 ,  室園 幹夫
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-014938
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004206
出願日： 1997年01月29日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 化合物半導体薄膜の中で、特に硫化物薄膜の形成法に関して、均一に薄膜化された高品質で安価な大面積化合物半導体薄膜を得ることが可能な薄膜形成法を提供することを主目的とする。【解決手段】 少なくとも一つ以上金属及び硫黄を含む金属有機化合物を塗布した基板を加熱し昇華もしくは蒸発した金属有機化合物を、加熱した金属有機化合物を塗布した基板と間隔を持って配置した薄膜形成用基板に付着させるとともに付着した金属有機化合物を付着と同時にもしくは付着後に熱分解させることにより、金属の硫化物薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

金属及び硫黄を少なくとも一つ以上含む金属有機化合物を加熱し、この加熱により昇華、気化もしくは蒸発した金属有機化合物を薄膜形成用基板に付着させるとともに、付着した金属有機化合物を付着と同時にもしくは付着後に熱分解させることにより金属の硫化物薄膜を得ることを特徴とした化合物半導体薄膜の形成法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/46 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 31/04 E ,  C30B 25/02 Z ,  C30B 29/46 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公平6-099809
  
• 特開昭61-166978
  
• 太陽電池の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-308707   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体薄膜の製造方法および光電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118167   出願人：松下電器産業株式会社