含フッ素ポリイミドの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330902
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の多層配線層間絶縁膜等に使うポリイミドに対し、内部まで含フッ素化させ低誘電率にする。【構成】真空槽内にポリイミドを堆積させた試料207を設置し、CF4 などのフッ素系ガスによってフッ素プラズマを発生させる。下部電極208の近くに制御電極206を設け電圧を印加することで荷電粒子を排除しフッ素ラジカルを選び出し、ポリイミド表面にフッ素ラジカルのみを照射する。ポリイミド表面で荷電粒子とフッ素ラジカルが反応することがないのでフッ素ラジカルがポリイミド内部まで拡張する。

請求項（抜粋）：