半導体回路およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079003
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268185
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】結晶性シリコンを使用する薄膜トランジスタ(TFT)とアモルファスシリコンを使用する薄膜ダイオードを有する半導体回路(集積化イメージセンサー等)において、シリコン膜および層間絶縁物の成膜プロセスを削減する。また、結晶化温度を低下させ、かつ結晶化時間を短縮し、生産性の向上を図る。【構成】基板上に形成されたアモルファスシリコン薄膜に密着してニッケル、鉄、コバルト、白金の少なくとも1つを有する材料を選択的に設け、あるいはアモルファスシリコン膜中にこれらの元素を添加し、これをアニールすることによってシリコン膜を選択的に結晶化させる。そして、このようにして得られた結晶化シリコン膜をTFTに、また、結晶化しなかった部分をダイオードに用いる。

請求項（抜粋）：

基板上に、実質的に真性なアモルファス状態のシリコン膜を有する薄膜ダイオード素子と、結晶状態のシリコン膜からなるチャネル形成領域を有する薄膜トランジスタ素子とを有し、かつ、前記アモルファス状態のシリコン膜と結晶状態のシリコン膜は同じ層内に形成されていることを特徴とする半導体回路。

IPC (6件)：

H01L 27/12 , H01L 21/20 , H01L 27/092 , H01L 27/146 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 27/08 321 B , H01L 27/14 C , H01L 29/78 311 Y , H01L 29/78 311 C

引用特許：

出願人引用 (6件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-200477 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-217966
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-221874 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (2件)

光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-200477 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-217966

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