特許
J-GLOBAL ID：200903049696092588

めっき液、めっき膜及びその作製方法

発明者：
齋藤 美紀子

齋藤 美紀子 について

, 
佐々木 弘幸

佐々木 弘幸 について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について

, 
大宏電機株式会社

大宏電機株式会社 について


代理人 (4件)： 牛木 護 ,  清水 栄松 ,  外山 邦昭 ,  吉田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-143413
公開番号（公開出願番号）：特開2006-322014
出願日： 2005年05月17日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。 【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを15g/l以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が1.5μm以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を15mA/cm2以上、カソード電位を飽和カロメル電極(SCE)に対して900mV以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。 【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液であって、サッカリンナトリウムを含有することを特徴とするめっき液。
IPC (3件)：
C25D 3/32 ,  C25D 3/60 ,  C25D 7/00
FI (3件)：
C25D3/32 ,  C25D3/60 ,  C25D7/00 G
Fターム (27件)：
4K023AA17 ,  4K023AB33 ,  4K023AB34 ,  4K023BA06 ,  4K023BA08 ,  4K023CB03 ,  4K023CB13 ,  4K023CB21 ,  4K023DA02 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AA21 ,  4K024AB01 ,  4K024AB02 ,  4K024AB19 ,  4K024BB09 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA03 ,  4K024CA04 ,  4K024CA06 ,  4K024CA16 ,  4K024GA16
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (7件)
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