特許
J-GLOBAL ID：200903064076391657
スズメッキ方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
千田 稔
, 辻永 和徳
, 橋本 幸治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057560
公開番号（公開出願番号）：特開2004-124249
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】銅リードフレームなどのスズおよびスズ合金メッキにおいてホイスカー形成が非常に軽減された堆積物を提供する。また、ホイスカーを形成する傾向が減少したスズ層またはフィルムを堆積させる方法も提供する。【解決手段】スズまたはスズ合金の層を基体上に電着するときに、スズまたはスズ合金層に隣接する結晶面またはその同等な面と5°〜22°の角度を形成する結晶面またはその同等な面が実質的にないようにする、また、X線回折スペクトルにおいて観察されるすべてのピークの合計ピーク強度に対する5°〜22°の角度を形成する結晶面およびその同等な面に対応するピーク強度の比が10%以下であるようにすることによってホイスカーの形成が減少したスズまたはスズ合金層を得る。この方法によってスズまたはスズ合金層、および、それを有する電子デバイスを得る。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
スズまたはスズ合金の層を基体上に電着することを含むスズホイスカーの形成を減少させる方法であって、スズまたはスズ合金層に、隣接する結晶面またはその同等な面と5°〜22°の角度を形成する結晶面またはその同等な面が実質的にない前記方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4K024AA07
, 4K024AA21
, 4K024AB01
, 4K024BA01
, 4K024BA09
, 4K024BB11
, 4K024BB12
, 4K024BB13
, 4K024BC01
, 4K024CA01
, 4K024CA02
, 4K024CA04
, 4K024CA06
, 4K024CA08
, 4K024GA02
