特許
J-GLOBAL ID：200903049699162595
薄い金属下層を用いて形成するエピタキシャル・コバルト・シリサイド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256840
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183253
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 熱安定性に優れたエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜と、CMOS回路に使用する浅い接合を形成するための外方拡散源を形成する方法を提供する。【構成】 この金属層12は、シリサイド皮膜を形成する加熱工程の前に、コバルト層14の下に設ける。具体的には、タングステン、クロム、モリブデン、またはこれらのシリサイドからなる超硬金属層で、半導体ウェーハ上のシリコン基板を被覆する。超硬金属層をコバルト層で被覆する。次に、シリコン基板を被覆するエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な温度でウェーハをアニーリングする。アニーリング後、エピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜の上にコバルト・シリコン・超硬金属の合金が残る。このシリサイドをドーパントの外方拡散により、薄いP-N接合を形成するのに使用する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に、タングステン、クロム、モリブデン、これらの混合物、またはタングステン、クロム、もしくはモリブデン・シリサイドからなる超硬金属の層を形成する工程と、上記超硬金属の層の上にコバルト層を形成する工程と、上記コバルト層を、上記シリコン基板上にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成するのに十分な高温でアニーリングする工程とを含む、半導体デバイス中にエピタキシャル・コバルト・シリサイド皮膜を形成する方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/223
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
