特許
J-GLOBAL ID：200903049794968211
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003542
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199882
出願日： 1997年01月13日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造を有する半導体装置では、半導体装置で発生した熱を上層の配線層にまで伝達して表面から放熱させることが困難となり、熱による半導体装置の特性劣化が生じ易い。【解決手段】 多層構造の配線層のそれぞれにダミー配線膜3A,5A,7A,9Aを設け、各ダミー配線膜をダミースルーホール4b,6b,8bを通して相互に接続する。半導体基板1で発生した熱をこれらダミー配線膜及びダミースルーホールを介して上層の配線層にまで伝達でき、配線構造の表面から効率的に放熱することができる。また、最上層にヒートシンク12を設け、このヒートシンクにダミースルーホール10bを介してダミー配線9A接続することで、放熱をより効果的に行うことができ、半導体装置の高集積化を目的として各配線層に熱伝導率の低い低誘電率の層間絶縁膜を使用した場合にもデバイスの温度上昇を抑制することができ、熱による半導体装置の故障を防止することができる。
請求項（抜粋）：
複数の配線層が積層配置された多層配線構造を有する半導体装置において、前記配線層にはそれぞれ配線膜と共にダミーの配線膜が形成され、これらダミーの配線膜が前記各配線層を絶縁するための各層間絶縁膜に設けられたダミーのスルーホールを介して上下の配線層間で相互に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 Z
, H01L 21/90 A
