特許
J-GLOBAL ID:200903049799475264
高周波スイッチ回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
日向寺 雅彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-246660
公開番号(公開出願番号):特開2009-194891
出願日: 2008年09月25日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
【課題】チップサイズを増大することなく相互変調歪及び高調波歪が低減可能な高周波スイッチ回路を提供する。【解決手段】アンテナ端子と、第1及び第2のRF端子と、前記アンテナ端子と前記第1のRF端子との間に配置された第1のスルートランジスタと、前記アンテナ端子と前記第2のRF端子との間に配置された第2のスルートランジスタと、接地と前記第1のRF端子との間に配置された第1のシャントトランジスタと、接地と前記第2のRF端子との間に配置された第2のシャントトランジスタと、互いに逆方向となるように並列接続されたMOSキャパシタを有し、前記アンテナ端子と前記接地との間、及び前記第1及び第2のRF端子のいずれかと前記接地との間、の少なくともいずれかに配置された歪補償回路と、を備え、前記アンテナ端子と、前記第1及び第2のRF端子と、の間の電気的接続が切り替え可能とされたことを特徴とする高周波スイッチ回路が提供される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アンテナ端子と、
第1及び第2のRF端子と、
前記アンテナ端子と前記第1のRF端子との間に配置された第1のスルートランジスタと、
前記アンテナ端子と前記第2のRF端子との間に配置された第2のスルートランジスタと、
接地と前記第1のRF端子との間に配置された第1のシャントトランジスタと、
接地と前記第2のRF端子との間に配置された第2のシャントトランジスタと、
互いに逆方向となるように並列接続されたMOSキャパシタを有し、前記アンテナ端子と前記接地との間、及び前記第1及び第2のRF端子のいずれかと前記接地との間、の少なくともいずれかに配置された歪補償回路と、
を備え、
前記アンテナ端子と、前記第1及び第2のRF端子と、の間の電気的接続が切り替え可能とされたことを特徴とする高周波スイッチ回路。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (17件):
5J055AX05
, 5J055AX06
, 5J055AX44
, 5J055BX03
, 5J055CX03
, 5J055DX12
, 5J055DX44
, 5J055DX73
, 5J055DX88
, 5J055EX07
, 5J055EY01
, 5J055EY21
, 5J055FX05
, 5J055FX12
, 5J055FX28
, 5J055FX32
, 5J055GX01
引用特許:
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