特許

J-GLOBAL ID：200903049816688285

窒化物半導体材料を用いたヘテロ接合電界効果型トランジスタ

発明者： 清水 三聡 ,  井出 利英 ,  原 信次 ,  奥村 元
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-222312
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354101
出願日： 2005年08月01日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】 窒化ガリウム系へテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、バリアーの構造を改善し、ゲート電流を低減して、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図る。【解決手段】 GaN系ヘテロ接合電界効果型トランジスタにおいて、ヘテロ接合に接するバリアーを薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。この電界効果型トランジスタの構造では、GaN層とバリアーからなるヘテロ接合界面をチャンネルとし、チャンネルに接するバリアーが薄いAlN層とGaN層からなる多層構造とする。これにより、ゲートリーク電流を低減し、移動度を高め、トランジスタ性能の向上を図る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタであって、 窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分が限界膜厚以下の厚さの窒化アルミニウム層と限界膜厚以下の厚さの窒化ガリウム層とを相互に重ねた多層構造であり、 前記多層構造における窒化ガリウム層の厚さは量子順位が形成されない薄さである ことを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (22件)：

5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭59-063769
  
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088973   出願人：日本電気株式会社
• 半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-248484   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-063769
  
• ヘテロ接合電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-088973   出願人：日本電気株式会社
• 半導体電界効果トランジスタ及び電力増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-248484   出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (2件)

• "Piezoeffect and gate current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors"
• "Piezoresistive effect in AlN/GaN short range superlattice structures"

審査官引用 (2件)

• "Piezoeffect and gate current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors"
• "Piezoresistive effect in AlN/GaN short range superlattice structures"