特許
J-GLOBAL ID：200903049820803331

成膜方法及びプラズマCVD装置

発明者：
池田 太郎

池田 太郎 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡部 敏彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315632
公開番号（公開出願番号）：特開2003-119564
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月23日
要約：
【要約】【課題】 基板表面に形成された自然酸化膜の除去処理と高融点金属を含む膜の成膜処理とを、基板を大気に晒すことなく、同一チャンバー内で連続して短時間で実行することができる成膜方法及びプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置のチャンバー内でSi基板の表面にある自然酸化膜の除去後、該自然酸化膜が除去されたSi基板を大気に晒すことなく、エッチングと成膜を最適化された同一チャンバー内で連続して自然酸化膜が除去されたSi基板上に高融点金属を含む膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD装置を使用して基板に対して成膜を行う成膜方法において、前記プラズマCVD装置のチャンバー内で前記基板の表面にある自然酸化膜を除去する自然酸化膜除去工程と、前記自然酸化膜が除去された基板を大気に晒すことなく、エッチングと成膜を最適化された同一チャンバー内で前記自然酸化膜が除去された基板の上に連続して高融点金属を含む膜を成膜する工程と備えることを特徴とする成膜方法。
IPC (2件)：
C23C 16/02 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
C23C 16/02 ,  H01L 21/205
Fターム (21件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045BB08 ,  5F045CB10 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB13 ,  5F045EH19 ,  5F045HA03 ,  5F045HA22
引用特許：
審査官引用 (3件)

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