プラズマ装置及びプラズマ処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-217569
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120957
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】プラズマプロセス中の諸特性に影響を与えることなく電子シェーディング効果を低減し、チャージダメージを抑制できるプラズマ装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板バイアス電極2と対向電極3との間の距離を電子の平均自由行程の2倍以下に設定する。そして、基板バイアス電極2に100kHz〜1MHzの高周波電力を供給し、対向電極3に1MHz〜100MHzの高周波電力を供給する。

請求項（抜粋）：

チャンバと、前記チャンバ内に配置されて半導体ウェハが搭載される第1の電極と、前記第1の電極に対向し且つ前記第1の電極から電子の平均自由行程の2倍以下の距離をおいて配置された第2の電極と、前記第1の電極に第1の周波数の高周波電力を供給する第1の高周波電源と、前記第2の電極に前記第1の周波数よりも周波数が高い第2の周波数の高周波電力を供給する第2の高周波電源と、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給手段と、前記チャンバ内を排気する排気ポンプとを有することを特徴とするプラズマ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (10件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-222132 出願人：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩
プラズマ処理装置、処理装置及びエッチング処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-120869 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-174367 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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