特許
J-GLOBAL ID：200903049839100846
ナノスケール構造体アセンブリ、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、ディスプレイ装置、及び電界放出構造体の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215600
公開番号（公開出願番号）：特開2001-096499
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：
【要約】【課題】 陰極電源から電界放出チップまでの連続した電子移動を提供するナノ構造体アセンブリ、及び、そのようなアセンブリの製造方法を提供する。【解決手段】 ナノスケール構造体アセンブリは、基板2とこの基板2に取り付けられた複数のナノ構造体1とを有する。ナノ構造体1は、基板表面から先端部まで伸び、1.0-100nmの範囲の直径と0.5-100μmの範囲の長さを持つ。複数のナノ構造体1の少なくとも一部の上をカバーする金属コーティング5が設けられ、これにより基板2からナノ構造体1の放出チップ3に導電性パスが形成される。
請求項（抜粋）：
基板とこの基板に取り付けられた複数のナノスケール構造体とを有し、前記ナノスケール構造体が、基板表面から先端部まで伸び、1.0-100nmの範囲の直径と0.5-100μmの範囲の長さを持つ、ナノスケール構造体アセンブリにおいて、前記複数のナノスケール構造体の少なくとも一部の上をカバーする金属製フィルムが設けられ、これにより基板からナノスケール構造体の先端部に導電性パスが形成されることを特徴とするナノスケール構造体アセンブリ。
IPC (8件)：
B81B 7/00
, H01J 1/304
, H01J 9/02
, H01J 23/06
, H01J 29/04
, H01J 31/12
, H03F 3/54
, C01B 31/02 101
B81B 7/00
, H01J 9/02 B
, H01J 23/06
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
, H03F 3/54
, C01B 31/02 101 F
, H01J 1/30 F
