特許
J-GLOBAL ID：200903049845523520

プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205282
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283206
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 高密度プラズマのイオン/ラジカル生成比を最適に制御可能なプラズマ装置を構成し、高精度エッチングを行う。【構成】 ベルジャ31を周回するソレノイド・コイル33とこれに電流を供給する直流電源(DC)48との間にスイッチ47を設け、該スイッチ47のON時にはイオンに富むヘリコン波プラズマPH 、OFF時にはループ・アンテナ32の生成する高周波電界によりラジカルに富む誘導結合プラズマPI を励起させる。あるいは、ループ・アンテナ32に供給する高周波電流を10μsecオーダーの周期を有するパルス電流とし、プラズマ密度を維持しながら電子温度を下げても良い。【効果】 高密度プラズマにおいて不足しがちな多原子イオンや多原子ラジカルが適正比率にて生成するので、イオン・アシスト機構を円滑に働かせ、高速異方性エッチングを行うことができる。
請求項（抜粋）：
基板を収容する高真空容器と、前記高真空容器の器壁の一部を構成する非導電性部材と、前記非導電性部材の周囲に巻回される高周波アンテナと、前記高周波アンテナへの電流の供給/遮断の高速スイッチングを行う高周波電界制御手段とを備え、前記高真空容器内に高密度プラズマを生成させるようになされたプラズマ装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
引用特許：
審査官引用 (8件)
  • 特開平3-068773
  • 特開平3-068773
  • 特開平3-130370
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