イオンプレーティング装置およびイオンプレーティング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：角田嘉宏 , 古川安航
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-263966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099983
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】高度に緻密化された膜を成膜することが可能な成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】導電性部材からなる真空チャンバ1内に、薄膜形成材料を充填した蒸発源2を配設するとともに、導電性部材からなる円筒状の基板ホルダ5を配設する。この基板ホルダ5の基板支持部5aに円板状の基板7を取り付け、さらに、基板7の成膜面に対する反対側の面に、基板7と中心軸が一致するリング状の永久磁石8A,8Bを配置する。永久磁石8A,8Bは、磁性材料から構成される磁石固定板17によって固定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

その内部で基板にプラズマを用いて成膜を行うチャンバと、前記プラズマを発生させるための電源と、薄膜形成材料を蒸発させるための蒸発源と前記チャンバ内に配設され、前記チャンバ内に前記基板が取り付けられる基板ホルダと、前記基板の周囲に磁界を発生させる永久磁石とを備えたイオンプレーティング装置。

IPC (3件)：

C23C14/32 , G02B1/10 , G02B5/28

FI (3件)：

C23C14/32 D , G02B5/28 , G02B1/10 Z

Fターム (11件)：

2H048GA07 , 2H048GA13 , 2H048GA60 , 2H048GA62 , 2K009DD04 , 2K009DD09 , 2K009EE00 , 4K029CA03 , 4K029DD02 , 4K029EA06 , 4K029JA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

高品質膜の製膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-241605 出願人：旭硝子株式会社
特開昭55-091971
特開昭64-065261

全件表示

前のページに戻る