特許

J-GLOBAL ID：200903049862995044

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 石倉 幸治
出願人/特許権者： NEC化合物デバイス株式会社
代理人 (3件)： 金田 暢之 ,  伊藤 克博 ,  石橋 政幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-042512
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253620
出願日： 2003年02月20日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】電界緩和効果を得るとともに、利得を向上させた電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】半導体動作層12上に形成されたソース電極30およびドレイン電極40と、半導体動作層12上のソース電極30とドレイン電極40間に形成される、ドレイン電極40側の側壁が半導体動作層12上面と垂直な面からドレイン電極40側に傾いて形成された第1の傾斜部20aを備えた開口を有する絶縁膜20と、開口を介して半導体動作層12と接合された、少なくともドレイン電極40側の側壁を覆うゲート電極50とを有する構成である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体動作層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記半導体動作層上の前記ソース電極と前記ドレイン電極間に形成される、前記ドレイン電極側の側壁が前記半導体動作層上面と垂直な面から前記ドレイン電極側に傾いて形成された第1の傾斜部を備えた開口を有する絶縁膜と、 前記開口を介して前記半導体動作層と接合された、少なくとも前記ドレイン電極側の側壁を覆うゲート電極と、 を有する電界効果型トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/812

FI (3件)：

H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 S

Fターム (30件)：

4M104AA05 ,  4M104BB11 ,  4M104BB28 ,  4M104CC03 ,  4M104DD06 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD65 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GL05 ,  5F102GM05 ,  5F102GN05 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS03 ,  5F102GS06 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102HC15

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 化合物半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-094220   出願人：日本電気株式会社
• ゲート電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328023   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭62-232128
  
• 特開昭63-087773
  
• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253342   出願人：株式会社東芝