特許
J-GLOBAL ID:200903049874622987

セラミックス回路基板及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-070619
公開番号(公開出願番号):特開2001-267447
出願日: 2000年03月14日
公開日(公表日): 2001年09月28日
要約:
【要約】【課題】 セラミックス基板にアルミニウム板を直接接合させたセラミックス回路基板においては、冷熱サイクルが付加された場合、熱応力や残留応力によって基板にクラックが発生する恐れがあった。【解決手段】 セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムからなる金属板とを具備するセラミックス回路基板において、前記金属板の外周縁部内側に、金属板の実装面となる部分の厚さの1/6以上5/6以下、かつ金属板の外周縁部から1.0mm以下の範囲の薄肉部を設けたもの。
請求項(抜粋):
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に直接接合され、主としてアルミニウムからなる金属板とを具備するセラミックス回路基板において、前記金属板は外周縁部内側に薄肉部を有することを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (5件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610
FI (5件):
H01L 21/52 A ,  H05K 1/03 610 E ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/14 C
Fターム (5件):
5F047AA02 ,  5F047AA14 ,  5F047AB01 ,  5F047AB06 ,  5F047BA01
引用特許:
審査官引用 (3件)

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