特許
J-GLOBAL ID:200903099635728720

セラミックス電子回路基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸岡 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-355211
公開番号(公開出願番号):特開平7-193358
出願日: 1992年12月17日
公開日(公表日): 1995年07月28日
要約:
【要約】【目的】 ろう接法でアルミニウム-セラミックス複合基板を作製する場合の不十分な安定性、あるいは、非酸化物系セラミックス基板を用いる場合の工程の複雑化、接合強度や耐熱特性の低下等の問題点を解決して、良好な接合強度、熱伝導性、耐熱特性を示すアルミニウム-セラミックス複合基板を安定かつ容易に製造できる製造方法の提供。【構成】 溶融アルミニウムとセラミックス基板とを直接接触させた状態で保持した後冷却し、アルミニウムとセラミックス基板とを直接接合させることを特徴とする。
請求項(抜粋):
セラミックス基板の少なくとも片面に金属導電回路を有するセラミックス電子回路基板の製造において、上記導電回路形成用の金属を溶解した後、セラミックス基板を上記溶融金属と直接接触させた状態で保持して冷却することによって金属とセラミックス基板とを直接接合させることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
IPC (6件):
H05K 3/10 ,  B22D 19/14 ,  B22D 23/06 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/00
引用特許:
審査官引用 (8件)
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