特許
J-GLOBAL ID：200903049889576760
CVD-SiC自立膜構造体
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307507
公開番号（公開出願番号）：特開2003-113472
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：
【要約】【課題】 反り等の変形の抑制および機械的強度の向上を図るとともに、耐久性に優れ、パーティクルの発生を防止することができる、半導体製造装置用部材に好適なCVD-SiC自立膜構造体を提供する。【解決手段】 CVD法により形成されたSiC基板1の両面に、CVD法により形成されたSiC膜2を有するCVD-SiC成形体であって、前記SiC基板1とSiC膜2との界面は、SiC膜を構成するSiC結晶2aが、SiC基板1にくさび状に食い込んだ構造からなり、前記SiC基板を構成するSiC結晶1aは、平均粒径が15μm以下であり、前記SiC膜を構成するSiC結晶2aは、前記界面における平均粒径が20μm以上40μm以下、かつ、膜表面における平均粒径が40μm以上200μm以下であることを特徴とするCVD-SiC自立膜構造体を用いる。
請求項（抜粋）：
CVD法により形成されたSiC基板の両面に、CVD法により形成されたSiC膜を有するCVD-SiC成形体であって、前記SiC基板とSiC膜との界面は、SiC膜を構成するSiC結晶が、SiC基板にくさび状に食い込んだ構造からなり、前記SiC基板を構成するSiC結晶は、平均粒径が15μm以下であり、前記SiC膜を構成するSiC結晶は、前記界面における平均粒径が20μm以上40μm以下、かつ、膜表面における平均粒径が40μm以上200μm以下であることを特徴とするCVD-SiC自立膜構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/42
, C04B 41/87 G
4K030CA04
, 4K030GA02
, 4K030KA47
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
