特許

J-GLOBAL ID：200903033130467033

CVD膜の形成方法およびダミーウエハ

発明者： 小島 宏
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043676
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243706
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】窒化シリコン等のシリコン含有化合物のCVD膜が剥がれにくいダミーウエハの提供。【解決手段】ダミーウエハ基板の表面にCVD法によりSiC膜が形成されてなるダミーウエハであって、かつダミーウエハの平均表面粗さが1〜10μmであるダミーウエハ。

請求項（抜粋）：

CVD装置内に半導体ウエハとともにダミーウエハを配置し、半導体ウエハの表面にシリコン含有化合物のCVD膜を形成する方法において、ダミーウエハとして、ダミーウエハ基板の表面にSiC膜が形成されてなり、前記SiC膜がCVD法により平均表面粗さが1〜10μmとなるように形成されてなるダミーウエハを用いることを特徴とする半導体ウエハ表面へのシリコン含有化合物のCVD膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 Z

Fターム (27件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB11 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045AF19 ,  5F045BB08 ,  5F045BB17 ,  5F045GH08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SiCダミーウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-286131   出願人：三井造船株式会社, 株式会社アドマップ
• ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-231469   出願人：株式会社ブリヂストン
• 化学蒸着法による炭化ケイ素成形体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-340994   出願人：東洋炭素株式会社
• 炭化ケイ素質ダミーウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-146809   出願人：東洋炭素株式会社