特許

J-GLOBAL ID：200903049918369206

電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器

発明者： 平林 幸哉 ,  片山 茂憲 ,  安川 昌宏
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-016174
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286425
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜により覆われた単結晶シリコン層からなるトランジスタ素子のチャネル領域が電気的に浮いた状態となるために発生する基板浮遊効果を防止し、素子の電気的特性を安定させる。【解決手段】 半導体層1aのチャネル領域1a’は、延在部201を有する。延在部201の終端部は、コンタクトホール202に接続されている。このコンタクトホール202は、接続配線203に接続されている。接続配線203は、一端が上記のようにコンタクトホール202に接続されると共に、Y方向に向けて容量線3bの直上まで配設され、該直上よりコンタクトホール204を介して容量線3bに接続されている。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の走査線と、前記複数の走査線に交差する複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と蓄積容量とを有する電気光学装置であって、前記トランジスタのチャネル領域となる半導体層の延在部は前記蓄積容量の電極となる容量線に接続されてなることを特徴とする電気光学装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 626 B ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/28 301 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高解像度アクティブ・マトリクスLCDセル設計
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-514683   出願人：ハネウエル・インコーポレーテッド
• 半導体装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040450   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭62-104173