特許
J-GLOBAL ID：200903049919901785

高周波回路構造及びその製造方法

発明者：
大矢 章博

大矢 章博 について

, 
星野 浩一

星野 浩一 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-088427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286338
出願日： 1999年03月30日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 高周波回路構造の表面を樹脂封止しながら、エアブリッジ配線部分で挿入損失や反射が大きくなることを防止する。【解決手段】 本発明の高周波回路構造は、基板4上に設けられた下層配線2及びこの下層配線2と空隙7を介して交差する上層配線5から構成されたエアブリッジ配線6を備えると共に、このエアブリッジ配線6を覆うように設けられ比誘電率が異なる2つの誘電体層8、9を備え、そして、下層配線2と上層配線5との間の空隙7に充填される第1の誘電体層8の比誘電率をε1とすると共に、この第1の誘電体層8の上に設けられる第2の誘電体層9の比誘電率をε2としたときに、ε1<ε2が成り立つように構成したものである。また、下層配線2と上層配線5との間の空隙の比誘電率をε、エアブリッジ高さをHとしたときに、H/ε≧0.8の関係を満たすように構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた下層配線及びこの下層配線と空隙を介して交差する上層配線から構成されたエアブリッジ配線と、このエアブリッジ配線を覆うように設けられ、比誘電率が異なる2つの誘電体層とを備え、前記下層配線と前記上層配線との間の空隙に充填される第1の誘電体層の比誘電率をε1とすると共に、この第1の誘電体層の上に設けられる第2の誘電体層の比誘電率をε2としたときに、ε1<ε2が成り立つように構成したことを特徴とする高周波回路構造。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/3205 ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/02 603 ,  H03F 3/60
FI (6件)：
H01L 21/90 N ,  H01P 3/02 ,  H01P 5/02 603 Z ,  H03F 3/60 ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 W
Fターム (26件)：
5F033HH13 ,  5F033KK13 ,  5F033NN21 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033TT03 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24 ,  5J067AA01 ,  5J067CA35 ,  5J067CA58 ,  5J067FA16 ,  5J067HA10 ,  5J067HA11 ,  5J067HA12 ,  5J067HA29 ,  5J067KA00 ,  5J067KA29 ,  5J067KA66 ,  5J067KA68 ,  5J067LS13 ,  5J067QA04 ,  5J067QS04 ,  5J067QS05 ,  5J067TA02 ,  5J067TA03
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開平3-149828
  • 特開平1-160201
  • 伝送線路構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-173524   出願人：富士通株式会社
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審査官引用 (3件)
  • 特開平3-149828
  • 特開平1-160201
  • 伝送線路構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-173524   出願人：富士通株式会社

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