電子デバイスおよびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-163572
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017106
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス・チップと実装基板との熱膨張係数を整合させて電子デバイスの長期信頼性を改善し、かつ外付けの電源部品を小型低容量化する。【解決手段】 Si実装基板1のデバイス・チップ実装面に半導体デバイス・チップ2をベアチップ実装し、反対側の面に太陽電池6を配することで、実装基板自身に電力供給機能の少なくとも一部を担わせる。半導体デバイス・チップ2またはその他の部品と太陽電池6との電気的接続には、スルーホール4を介してSi実装基板1の両面に延在された導電膜パターン3を用いる。二次電池5は余剰電力の蓄電および電力の安定供給に用いる。太陽電池6は既製のチップを導電膜パターン3へボンディングするか、または光電変換機能を有する半導体積層膜をパターニングすることで、Si実装基板1の上に直接作り込む。

請求項（抜粋）：

導電膜パターンが形成されたシリコン実装基板と、前記シリコン実装基板の上にベアチップ実装される半導体デバイス・チップと、前記シリコン実装基板に配され前記半導体デバイス・チップもしくは他の実装部品に電力を供給するための太陽電池とを備えることを特徴とする電子デバイス。

IPC (2件)：

H01L 25/16 , H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 25/16 A , H01L 31/04 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

シリコン両面実装基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-163640 出願人：ソニー株式会社
特開昭54-138472
ICカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-241554 出願人：株式会社ソキア

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