特許

J-GLOBAL ID：200903049931882273

シリコン光電変換素子,その製造方法及びその処理方法

発明者： 小林 光 ,  鯉沼 秀臣
出願人/特許権者： 小林 光 ,  鯉沼 秀臣 ,  松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189484
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 アモルファスシリコンの光照射による光伝導度の低下を防止するための構造及び方法を提供する。【解決手段】 基板にアモルファスシリコン層を形成した後に、あるいは形成されたアモルファスシリコン層に光を照射した後に、アモルファスシリコン層にシアノイオンCN- を導入するシアン処理を行なう。例えば、処理槽6中のシアン化カリウム(KCN)水溶液4中に浸漬する。シアン処理により、アモルファスシリコン薄膜が形成された時点で存在している光劣化の原因となるもの(結合の弱い部分,欠陥,再結合中心など)が消滅して、使用開始時からの光伝導度が高くなるとともに、光照射による光伝導度の低下もみられない。

請求項（抜粋）：

CN基を含むシリコン層と、上記シリコン層の上下いずれか一方の側に設けられた導体層とを備えているシリコン光電変換素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 A

Fターム (9件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CB30 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法およびその製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-232021   出願人：科学技術振興事業団, 松下電子工業株式会社
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-353801   出願人：キヤノン株式会社