特許
J-GLOBAL ID：200903049934552657
静電吸着ホットプレート、真空処理装置、及び真空処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-289078
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111829
出願日： 1997年10月06日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】基板の昇降温速度が大きく、正確な温度制御ができる技術を提供する。【解決手段】静電吸着ホットプレートの内部の、表面側に一対の第一の静電吸着パターン21、22を設け、底面側に一対の第二の静電吸着パターン41、42を設け、その間にヒータ6を設ける。真空槽7のプレート支持台15上に配置し、表面を載置面3として基板8を載置する場合、第一の静電吸着パターン41、42間に電圧を印加すると基板8が静電吸着され、ヒータ6からの熱によって加熱される。第二の静電吸着パターン41、42間に電圧を印加するとプレート支持台15との間の熱抵抗が小さく、電圧を印加しないと熱抵抗が大きくなる。プレート本体9は、分離可能にされた第一の部材と第二の部材とで構成し、第一静電吸着パターンとヒータとを第一の部材に、第二静電吸着パターンを第二の部材側に設けることができる。
請求項（抜粋）：
被加工物を載置する載置面が表面に形成されたプレート本体と、前記プレート本体内部で、前記載置面側に設けられた第一静電吸着パターンと、前記プレート本体内部で、前記載置面とは反対側の面側に設けられた第二静電吸着パターンと、前記第一静電吸着パターンと前記第二静電吸着パターンとの間に設けられたヒータとを有することを特徴とする静電吸着ホットプレート。
IPC (3件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, H02N 13/00
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
, H02N 13/00 D
