特許

J-GLOBAL ID：200903049955047065

<1-100>方向にオフカットした基板上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル層

発明者： ランディニ,バーバラ,イー. ,  ブランデス,ジョージ,アール. ,  ティシュラー,マイケル,エー.
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-505042
公開番号（公開出願番号）：特表2003-502857
出願日： 2000年06月01日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】基板の<1-100>結晶方向に約6〜約10°のオフカット角度を有する六方晶系結晶形態のSiC結晶基板のオフカット面上で成長させた炭化ケイ素エピタキシャル膜。得られた炭化ケイ素エピタキシャル膜は、優れた形態学的性質および物性を有する。

請求項（抜粋）：

六方晶系結晶構造を有するSiC基板のオフカット面上で成長させたエピタキシャルSiC膜であって、該オフカット面が約6〜約10°のオフカット角度を有し、該オフカット面の結晶方向が該基板の6つの等価な<1-100>方向±7.5°のうちの1つの方向を向いている、エピタキシャルSiC膜。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/36 A

Fターム (21件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077EA01 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED05 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC02 ,  4G077TK06 ,  5F045AA01 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AE25 ,  5F045BB02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化ケイ素ウエハの製造方法及び炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-278699   出願人：三洋電機株式会社
• 炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-241899   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体基板及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072006   出願人：キヤノン株式会社