特許

J-GLOBAL ID：200903049984656607

サファイヤ基板

発明者： 古滝 敏郎 ,  矢口 洋一 ,  砂川 和彦 ,  佐藤 次男 ,  戸嶋 博昭
出願人/特許権者： 並木精密宝石株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-033243
公開番号（公開出願番号）：特開2001-220295
出願日： 2000年02月10日
公開日（公表日）： 2001年08月14日
要約：

【要約】【課題】 GaNに代表されるIII族窒化物半導体や窒化ガリウム系化合物半導体等をエピタキシャル成長させ、かつ、歩留りを向上させることのできるサファイヤ基板を提供すること。【解決手段】 サファイヤ基板1は、半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる面をq面2とする。これにより、r面およびa面を劈開面とすることができ、略直方体の素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、前記エピタキシャル成長させる面をq面としたことを特徴とするサファイヤ基板。

IPC (5件)：

C30B 29/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/86 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

C30B 29/20 ,  H01L 27/12 S ,  H01L 21/86 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (24件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F041AA41 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA76 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045CA10 ,  5F045GH08 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• サファイア基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-203056   出願人：ソニー株式会社
• 半導体レーザダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-079217   出願人：京セラ株式会社