特許

J-GLOBAL ID：200903050011699181

電気メッキにより直接基板に銅配線を形成するプロセス

発明者： 呂 紹萍
出願人/特許権者： 同欣電子工業股▲分▼有限公司
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201437
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044603
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 製造コストが低い電気メッキにより直接基板に銅配線を形成するプロセスの提供。【解決手段】 前処理工程でバイヤホール電気接続させた基板に、スパッタリング法でチタン層、銅層を形成し、銅層上に、フォトレジスト塗布、ポジ型フォトマスクの貼り付け、紫外線露光、現像により、銅層上に配線のパターンの型枠を形成し、銅メッキにより配線パターン型枠に銅配線を形成し、残ったフォトレジスト層を剥離し、銅層、チタン層を取り除き、銅配線上にNiメッキ層を形成し、Niメッキ層表面に金メッキ層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板に貫通孔を開けてバイヤホール電気接続させる前処理工程と、スパッタリング法により前記貫通孔が形成された基板にチタン層を形成する工程と、スパッタリング法により前記チタン層上に銅層を形成する工程と、前記基板の少なくとも配線を形成する表面に形成された前記銅層上に、紫外線で架橋反応させることができる樹脂からなるフォトレジストを塗布する工程と、配線のパターンが形成したポジ型フォトマスクを前記フォトレジスト層上に位置決めて貼り付ける工程と、紫外線を照射することにより前記配線パターンがカバーしていない区域にある前記フォトレジストを架橋反応させる露光工程と、現像液で前記フォトレジスト層の架橋反応が発生しない区域を取り除いて前記銅層上に配線のパターンの型枠を形成する現像工程と、銅メッキにより前記配線パターンの型枠に銅配線を形成する工程と、前記基板の表面に残ったフォトレジスト層を剥離する工程と、前記銅層を取り除く工程と、前記チタン層を取り除く工程と、前記銅配線の表面にNiメッキ層を形成する工程と、前記Niメッキ層の表面に金メッキ層を形成する工程と、を有する電気メッキにより直接基板に銅配線を形成するプロセス。

IPC (3件)：

H05K 3/18 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/14

FI (5件)：

H05K 3/18 Z ,  H05K 3/18 A ,  H05K 3/18 J ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/14 A

Fターム (30件)：

4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024AB03 ,  4K024AB04 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024AB17 ,  4K024BA12 ,  4K024BA15 ,  4K024BB11 ,  4K024DB10 ,  4K024FA05 ,  4K024FA08 ,  4K024GA16 ,  5E343AA02 ,  5E343BB15 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343BB44 ,  5E343CC62 ,  5E343DD25 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11 ,  5E343GG13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-101864
  
• プリント基板のレジスト形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-321657   出願人：富士通株式会社
• 無電解金めっきの厚付け方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-266775   出願人：上村工業株式会社