特許

J-GLOBAL ID：200903050014258925

半導体製造・検査装置用セラミック基板

発明者： 平松 靖二 ,  伊藤 康隆
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360612
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230309
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】 高温時の体積抵抗率が少なくとも108 Ω・cm以上を確保することができ、しかも、隠蔽性、大輻射熱量及びサーモビュアによる測定精度を保証することができ、ホットプレート、静電チャック、ウエハプローバ、サセプタなどとして好適な半導体製造・検査装置用セラミック基板を提供すること。【解決手段】 X線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下であるカーボンを含有するセラミック基板に、導電体を配設してなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

請求項（抜粋）：

X線回折チャート上ではピークが検出できないか、検出限界以下であるカーボンを含有するセラミック基板に、導電体を配設してなることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック基板。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/66 ,  H05B 3/10 ,  H05B 3/16

FI (5件)：

H01L 21/68 R ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/66 B ,  H05B 3/10 C ,  H05B 3/16

Fターム (33件)：

3K092PP20 ,  3K092QA05 ,  3K092QB03 ,  3K092QB14 ,  3K092QB17 ,  3K092QB18 ,  3K092QB20 ,  3K092QB30 ,  3K092QB62 ,  3K092QB74 ,  3K092QC02 ,  3K092QC20 ,  3K092QC21 ,  3K092RF03 ,  3K092RF11 ,  3K092RF22 ,  3K092RF27 ,  3K092VV06 ,  3K092VV40 ,  4M106AA01 ,  4M106BA01 ,  4M106CA31 ,  4M106DD30 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA13 ,  5F031HA16 ,  5F031HA18 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031JA08 ,  5F031JA46 ,  5F031MA33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法および半導体製造用装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-218158   出願人：日本碍子株式会社
• 物品保持装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-193855   出願人：京セラ株式会社