特許
J-GLOBAL ID：200903050052211240

超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサーとその製造方法

発明者：
田中 啓一

田中 啓一 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029985
公開番号（公開出願番号）：特開2000-227468
出願日： 1999年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：
【要約】【課題】 試料とSQUID顕微鏡用センサーの高さを制御することにより、表面形状を同時に観察でき、かつ高空間磁気分解能を有し、試料とSQUID顕微鏡用センサーの温度を独立に制御できるSQUID顕微鏡用センサー素子とその製造方法を得ること。【解決手段】 基板表面の凹凸を検出する変位検出手段を有し、さらに、変位検出手段が超伝導量子干渉素子と同一基部上に、一体で形成されていることを特長とする超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサーを用いた。
請求項（抜粋）：
基部上に形成されたジョセフソン接合を含む超伝導リングからなる超伝導量子干渉素子で構成される超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサーにおいて、基板表面の凹凸を検出する変位検出手段を有し、さらに、前記変位検出手段が前記超伝導量子干渉素子と同一基部上に、一体で形成されていることを特長とする超伝導量子干渉素子顕微鏡用センサー。
IPC (4件)：
G01R 33/035 ZAA ,  G01N 27/72 ,  G01N 37/00 ,  H01L 39/22 ZAA
FI (5件)：
G01R 33/035 ZAA ,  G01N 27/72 ,  G01N 37/00 B ,  G01N 37/00 X ,  H01L 39/22 ZAA D
Fターム (16件)：
2G017AA08 ,  2G017AB05 ,  2G017AD34 ,  2G017AD39 ,  2G053AA21 ,  2G053AA30 ,  2G053AB14 ,  2G053CA10 ,  2G053DB06 ,  4M113AC08 ,  4M113AD67 ,  4M113AD68 ,  4M113BC02 ,  4M113BC04 ,  4M113BC05 ,  4M113CA17
引用特許：
審査官引用 (5件)
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