特許
J-GLOBAL ID：200903050061488890
プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229469
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125660
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ処理特性の変動や経時変化をリアルタイムで監視することができ、製造歩留り及び生産性を向上することが可能なプラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 プラズマ状態を反映する電気的信号を測定する信号サンプリング手段42と、電気的信号の値とプラズマ処理特性とを関連づけるモデル式を記憶するモデル式記憶手段48と、信号サンプリング手段42により測定した電気信号の値を、モデル式記憶手段48から読み出したモデル式に代入し、プラズマ処理特性の予測値を算出する演算手段44と、プラズマ処理特性の予測値に基づいてプラズマの状態を診断する診断手段50とによりプラズマ処理装置を構成する。
請求項（抜粋）：
プラズマ状態を反映する電気的信号を測定する信号サンプリング手段と、前記電気的信号の値とプラズマ処理特性とを関連づけるモデル式を記憶するモデル式記憶手段と、前記信号サンプリング手段により測定した前記電気信号の値を、前記モデル式記憶手段から読み出した前記モデル式に代入し、前記プラズマ処理特性の予測値を算出する演算手段と、前記プラズマ処理特性の前記予測値に基づいてプラズマの状態を診断する診断手段とを有することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
H01L 21/302 E
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, C23F 4/00 F
, H01L 21/205
, H05H 1/46 M
