特許

J-GLOBAL ID：200903050071392026

窒化物半導体発光素子

発明者： 沈 ▲玄▼ 旭 ,  元 鍾 学 ,  朴 珍 燮 ,  姜 重 瑞 ,  李 賢 真
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-307061
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245532
出願日： 2005年10月21日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：

【課題】動作電圧が低く静電気耐性が高い高出力窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明による窒化物発光素子は、基板上に形成されたn側コンタクト層と、上記n側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、上記電流拡散層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成されたp型クラッド層とを含む。上記電流拡散層は、上記n側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第1InAlGaN層と上記n側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第2InAlGaN層とが交互に積層され形成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたn側コンタクト層と、 上記n側コンタクト層上に形成された電流拡散層と、 上記電流拡散層上に形成された活性層と、 上記活性層上に形成されたp型クラッド層とを含み、 上記電流拡散層は、上記n側コンタクト層の電子濃度より高い電子濃度を有する第1InAlGaN層と上記n側コンタクト層の電子濃度より低い電子濃度を有する第2InAlGaN層とが交互に積層され形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E

Fターム (10件)：

5F041AA04 ,  5F041AA23 ,  5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CB36

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 日本特許公開公報平10-135514号
  
• 米国特許第6、593、597号
  
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-000614   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-261410   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-000614   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-261410   出願人：ソニー株式会社