特許
J-GLOBAL ID：200903008699494468
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000614
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195840
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：
【要約】【目的】 主としてレーザ素子の寿命を長くして信頼性の高いレーザ素子を得ることにあり、具体的には半導体素子の熱伝導性を向上させ、かつクラッド層の光閉じ込め効果を向上させることにより、発振閾値を低下させる。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有し、アンドープ若しくはn型不純物濃度が1×1017/cm3以下で、膜厚10μm以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第1の主面上に、その窒化物半導体基板よりもn型不純物濃度が大きいn型窒化物半導体よりなるn側コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるn側クラッド層を有し、さらにそのn側クラッド層の上に、活性層と、p型窒化物半導体よりなるp側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記n側コンタクト層と、前記p側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第1の主面側にある。
請求項（抜粋）：
第1の主面と第2の主面とを有し、アンドープ若しくはn型不純物濃度が1×1017/cm3以下で、膜厚10μm以上の窒化物半導体よりなる窒化物半導体基板の第1の主面上に、その窒化物半導体基板よりもn型不純物濃度が大きいn型窒化物半導体よりなるn側コンタクト層と、Alを含む窒化物半導体層を含む超格子構造よりなるn側クラッド層を有し、さらにそのn側クラッド層の上に、活性層と、p型窒化物半導体よりなるp側コンタクト層とを少なくとも有しており、前記n側コンタクト層と、前記p側コンタクト層とにはそれぞれ電極が設けられて、それらの電極が第1の主面側にあることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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