特許
J-GLOBAL ID：200903064488331187

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
竹谷 元伸

竹谷 元伸 について

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浅野 竹春

浅野 竹春 について

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池田 昌夫

池田 昌夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261410
公開番号（公開出願番号）：特開2003-289176
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：
【要約】【課題】 p側クラッド層の厚さを良好な光学特性を得るのに必要な値に保持しつつ、動作電圧を低減することができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子、例えば半導体レーザにおいて、p側クラッド層を活性層7側から順にアンドープまたはn型の第1の層9とp型不純物がドープされたp型の第2の層12とにより構成する。第1の層9の厚さは50nm以上とする。p型の第2の層12中にはこれよりバンドギャップが大きいp型の第3の層11を電子ブロック層として挿入する。
請求項（抜粋）：
n側クラッド層とp側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造を有する、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、上記p側クラッド層が上記活性層側から順にアンドープまたはn型の第1の層とp型不純物がドープされたp型の第2の層とからなり、かつ、上記第2の層がこの第2の層よりバンドギャップが大きい第3の層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 33/00 C
Fターム (22件)：
5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23
引用特許：
審査官引用 (4件)
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