p型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-313442
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154829
出願日： 1996年11月25日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【目的】キャリア濃度の高いp型窒化物半導体が得られる成長方法を提供することにより、そのp型窒化物半導体を用いた各種デバイスの発光効率、受光効率を向上させる【構成】有機金属気相成長法により窒化物半導体を成長させる方法において、前記窒化物半導体成長中にp型不純物と、酸素とを同時にドープする。

請求項（抜粋）：

有機金属気相成長法により窒化物半導体を成長させる方法において、前記窒化物半導体成長中にp型不純物と、酸素とを同時にドープすることを特徴とするp型窒化物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/324 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205 , H01L 21/324 C , H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

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