特許

J-GLOBAL ID：200903050078960780

6H-SiC単結晶の成長方法

発明者： 高橋 淳 ,  大谷 昇
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174952
公開番号（公開出願番号）：特開平10-017399
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月20日
要約：

【要約】【課題】 マイクロパイプ欠陥の発生を防止し、且つ積層欠陥の少ない6H-SiC単結晶を製造する方法を提供する。【解決手段】 昇華再結晶法において、(11-20)面から(0001)面方向への傾きが±30 ゚以内の範囲にあり且つ(11-20)面から(10-10)面方向への傾きが±10 ゚以内の範囲にある6H-SiCの面を種結晶基板に用いる。特に(11-20)面からの実質的傾きを有しない面を用いるとよい。

請求項（抜粋）：

種結晶を用いた昇華再結晶法によるSiC単結晶の成長方法において、(11-20)面から(0001)面方向への傾きが±30 ゚以内の範囲にあり且つ(11-20)面から(10-10)面方向への傾きが±10 ゚以内の範囲にある6H-SiCの面を種結晶基板として使用することを特徴とする積層欠陥の少ない6H-SiC単結晶の成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018272   出願人：株式会社東芝
• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098148   出願人：新日本製鐵株式会社