特許
J-GLOBAL ID:200903050097114873

シリコンの精製方法およびシリコン

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-423070
公開番号(公開出願番号):特開2004-262746
出願日: 2003年12月19日
公開日(公表日): 2004年09月24日
要約:
【課題】 ボロンの除去速度を向上させて効率良くシリコンを精製することができるシリコンの精製方法とその方法によって得られるシリコンとを提供する。【解決手段】 溶融後のシリコンに一酸化炭素、二酸化炭素および炭化水素の群から選択された少なくとも1種類を含有する炭素含有ガスを吹き込むシリコンの精製方法である。また、シリコンの溶融前および/または溶融後に、炭素および炭化ケイ素の少なくとも一方を混合するシリコンの精製方法である。さらに、本発明は、上記シリコンの精製方法を用いて精製されたシリコンである。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
溶融後のシリコンに一酸化炭素、二酸化炭素および炭化水素の群から選択された少なくとも1種類を含有する炭素含有ガスを吹き込むことを特徴とする、シリコンの精製方法。
IPC (1件):
C01B33/037
FI (1件):
C01B33/037
Fターム (8件):
4G072AA01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ02 ,  4G072JJ12 ,  4G072JJ34 ,  4G072MM08 ,  4G072UU02
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 特許第2905353号公報
  • 特許第3205352号公報
  • 米国特許5972107号公報
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審査官引用 (7件)
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