窒化物半導体ウエハーの製造方法および窒化物半導体素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-142675
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340147
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】簡単な方法で最適な窒化条件を提供する。【解決手段】サファイア基板4を窒化する温度をT(K)とした時の窒化時間t(秒)を、4.7×10-4×exp(1.5×104/T)以上とし、かつサファイア基板4の表面上に形成されたAlN結晶核が10nmを越える凹凸を生成しないような時間内で窒化時間を設定する。

請求項（抜粋）：

サファイア基板を窒化処理する窒化処理工程と、前記窒化処理されたサファイア基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に窒化物からなる結晶層を形成する工程とを有する窒化物半導体ウエハーの製造方法において、前記窒化処理工程における温度をT(K)とした時の窒化時間t(秒)を4.7×10-4×exp(1.5×104/T)以上とする窒化物半導体ウエハーの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/203 M , H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

化合物半導体装置及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-173602 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-178516
特開平3-203388

全件表示

前のページに戻る