ヘテロエピタキシャル成長方法、ヘテロエピタキシャル層および半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-285606
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135140
出願日： 1996年10月28日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】エピタキシャル成長層や基板に歪み、クラック等を発生しないヘテロエピタキシャル成長方法およびその方法により成長したヘテロエピタキシャル層を提供することにある。【解決手段】基板上に、基板とは異なる格子定数を有する半導体層を成長させるヘテロエピタキシャル成長方法が、基板上の所定部位に半導体層を選択成長させるための開口部を有する層を形成して開口部によって基板の所定部位を露出させる工程と、開口部によって露出された基板の表面上に半導体層を選択的にヘテロエピタキシャル成長させる工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に、基板とは異なる格子定数を有する半導体層を成長させるヘテロエピタキシャル成長方法において、前記基板上の所定部位に前記半導体層を選択成長させるための開口部を有する層を形成して該開口部によって前記基板の前記所定部位を露出させる工程と、前記開口部によって露出された基板の表面上に前記半導体層を選択的にヘテロエピタキシャル成長させる工程とを備えたことを特徴とするヘテロエピタキシャル成長方法。

IPC (7件)：

H01L 21/205 , C30B 19/12 , C30B 25/18 , C30B 29/38 , H01L 21/20 , H01L 21/203 , H01S 3/18

FI (7件)：

H01L 21/205 , C30B 19/12 , C30B 25/18 , C30B 29/38 Z , H01L 21/20 , H01L 21/203 M , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-263782 出願人：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-007048 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭63-300511

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