特許
J-GLOBAL ID：200903050117529641

III-V族窒化物系半導体基板及びIII-V族窒化物系発光素子

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (6件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222407
公開番号（公開出願番号）：特開2008-044818
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：
【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII-V族窒化物系半導体基板及びIII-V族窒化物系発光素子を提供する。【解決手段】基板面内の任意の場所でn型不純物濃度の最小値が5×1017cm-3以上としたIII-V族窒化物系半導体基板とする。また、このIII-V族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII-V族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII-V族窒化物系発光素子とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
n型不純物を含有したIII-V族窒化物系半導体の単結晶からなる自立した基板であって、前記基板の厚さ方向に対して前記n型不純物濃度の分布が周期的な変動を有しており、前記基板面内の任意の場所で前記n型不純物濃度の最小値が5×1017cm-3以上であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (32件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA03 ,  4K030GA05 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ14 ,  5F173AJ15 ,  5F173AP04 ,  5F173AR63
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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