特許

J-GLOBAL ID：200903050117529641

III-V族窒化物系半導体基板及びIII-V族窒化物系発光素子

発明者： 柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (6件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222407
公開番号（公開出願番号）：特開2008-044818
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】通常のバルク結晶の測定で得られる、平均化された電気特性の値通りの性能を得ることが可能なIII-V族窒化物系半導体基板及びIII-V族窒化物系発光素子を提供する。【解決手段】基板面内の任意の場所でn型不純物濃度の最小値が5×1017cm-3以上としたIII-V族窒化物系半導体基板とする。また、このIII-V族窒化物系半導体基板上に、少なくともIII-V族窒化物系半導体からなる活性層を形成してIII-V族窒化物系発光素子とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

n型不純物を含有したIII-V族窒化物系半導体の単結晶からなる自立した基板であって、前記基板の厚さ方向に対して前記n型不純物濃度の分布が周期的な変動を有しており、前記基板面内の任意の場所で前記n型不純物濃度の最小値が5×1017cm-3以上であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (32件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EB01 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA03 ,  4K030GA05 ,  4K030GA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ14 ,  5F173AJ15 ,  5F173AP04 ,  5F173AR63

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-052573   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-000072   出願人：シャープ株式会社
• 化学気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216648   出願人：日新電機株式会社
• 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法、窒化ガリウム単結晶のエピタキシャル成長自立基板、及びその上に形成したデバイス素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363269   出願人：日立電線株式会社