特許

J-GLOBAL ID：200903050130676521

半導体装置とその製造方法

発明者： 水野 義人 ,  紀國 雅宏 ,  小池 伸二 ,  松本 昌弘 ,  柳堀 文嗣
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社アルバック
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-161931
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335431
出願日： 2006年06月12日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】 シリコン基板の裏面部にアルミスパイクが発達しづらい半導体装置を提供すること。【解決手段】 はんだを介して回路基板と接合するために、シリコン基板30の裏面から順に、第1導電層28と、第2導電層26と、第3導電層24を有する裏面電極20を備えている縦型のIGBTである。第1導電層28は、アルミニウムとシリコンを含んでいる。第2導電層26は、チタンを含んでいる。第3導電層24は、ニッケルを含んでいる。第1導電層28の厚みは、600nm以上であることを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

はんだを介して回路基板と接合するために、シリコン基板の裏面から順に、第1導電層と、第2導電層と、第3導電層を有する裏面電極を備えている縦型の半導体装置であり、 第1導電層は、アルミニウムとシリコンを含んでおり、 第2導電層は、チタンを含んでおり、 第3導電層は、ニッケルを含んでおり、 前記第1導電層の厚みは、600nm以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L21/28 301R ,  H01L29/44 L ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658F

Fターム (17件)：

4M104AA01 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD37 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及び電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-316462   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及び電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-316462   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 半導体装置の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-295897   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭55-073868
  
• 特開昭55-073868