特許
J-GLOBAL ID：200903050150364496

単結晶引上装置

発明者：
松山 俊一郎

松山 俊一郎 について


出願人/特許権者：
東芝セラミックス株式会社

東芝セラミックス株式会社 について


代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-288209
公開番号（公開出願番号）：特開2000-119089
出願日： 1998年10月09日
公開日（公表日）： 2000年04月25日
要約：
【要約】【課題】単結晶の高速引上げが可能で、かつ、単結晶の転位の誘発を防いで単結晶引上げの生産性を高め、さらに輻射シールドの長寿命化を図った単結晶引上装置を提供する。【解決手段】単結晶引上装置1に輻射シールド10を設け、この輻射シールド10を断熱層18含む3重層とし、さらに円錐部11と直胴部16間設けられた水平部14と直胴部16の連通部19に、直胴部16が単結晶20の中心線方向に向かって縮径するように角取部19を設ける。
請求項（抜粋）：
炉体内に設けられた石英ガラスルツボを加熱してこの石英ガラスルツボに装填されたポリシリコンを溶融し、半導体単結晶を引上げる単結晶引上装置において、前記石英ガラスルツボの上方に輻射シールドを設置し、この輻射シールドは、単結晶が貫通する開口部を有する逆截頭円錐形状の円錐部と、この円錐部の下端に連通し、円錐部の下端から放射状に水平外方に延び、かつ前記ポリシリコン融液表面との間に通気路を形成するようにポリシリコン融液表面と対向して設けられた水平部と、前記石英ガラスルツボの内表面との間に通気路を形成するように石英ガラスルツボの内表面に対向する円筒状の直胴部と、この直胴部と円錐部および水平部で形成される中空部に充填された断熱材とよりなり、前記水平部と直胴部の連通部に直胴部が単結晶の中心線方向に向かって縮径するように設けられた角取部を形成したことを特徴とする単結晶引上装置。
IPC (3件)：
C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 P
Fターム (18件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EG02 ,  4G077EG19 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16 ,  5F053AA12 ,  5F053AA13 ,  5F053BB04 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053RR03 ,  5F053RR05 ,  5F053RR07 ,  5F053RR20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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