特許
J-GLOBAL ID：200903049342449101
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法ならびにこの方法で製造されたシリコン単結晶およびシリコンウエーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-303483
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116391
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 FPD(100ケ/cm2 以下)、LSTD、COP(10ケ/cm2 以下)等のグローンイン欠陥と呼ばれる欠陥の密度とサイズの同時低減を行い、酸化膜耐圧特性良品率(80%以上)に優れたシリコン単結晶及びウエーハを高生産性で作製する製造方法を確立する。【解決手段】 CZ法による結晶成長時に、1150〜1080°Cの温度域の通過時間を20分以下にする、または結晶の温度分布の内1150〜1080°Cの温度域に相当する部分の長さを2.0cm以下とするシリコン単結晶の製造方法、或は、さらに結晶成長時に、1250〜1200°Cの温度域の通過時間を20分以下にする、または結晶の温度分布の内1250〜1200°Cの温度域に相当する部分の長さを2.0cm以下にするシリコン単結晶の製造方法。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に、1150〜1080°Cの温度域の通過時間が20分以下となるようにすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 502
, C30B 15/20
C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
