特許
J-GLOBAL ID：200903050150737020

表面処理装置

発明者：
中川 行人

中川 行人 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244688
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083776
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 放電用電力の間欠的供給によるプラズマ発生法と、基板への電力バイアスを両立させ、低圧力で高速処理が可能な低圧力高密度プラズマ表面処理装置の特徴を生かし、より広い範囲のプロセスに応用できるようにする。【構成】 基板処理用と放電用の真空容器11,12と、真空容器を減圧する排気機構15と、真空容器内に放電用ガスを導入するガス導入機構16と、ガスを放電させプラズマを発生させるための電力を供給する放電用電力供給機構17〜19と、基板保持機構13と、この基板保持機構にバイアスを与えるためのバイアス用電力供給機構21〜23を備え、放電用電力供給機構とバイアス用電力供給機構の各々の出力電力を同一周期で間欠的に出力させる変調信号を各電力供給機構に与える変調信号発生器24を設ける。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内を減圧状態にする排気機構と、前記真空容器内に放電用ガスを導入するガス導入機構と、前記ガスを放電させプラズマを発生させるための電力を供給する放電用電力供給機構と、基板保持機構と、この基板保持機構にバイアスを与えるためのバイアス用電力供給機構を備える表面処理装置において、前記放電用電力供給機構と前記バイアス用電力供給機構の各々の出力電力を同一周期で間欠的に出力させる変調信号を発生する変調信号発生器を設けたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (7件)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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