特許
J-GLOBAL ID：200903050170131536

半導体装置及びその半導体装置内蔵集積回路

発明者：
小岩 進雄

小岩 進雄 について


出願人/特許権者：
セイコーインスツルメンツ株式会社

セイコーインスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283199
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094081
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 順方向電流を増大しリーク電流を抑制することが可能となり、半導体基板濃度や金属電極の金属を変えることなく単位面積当たりの電気特性可変なショットキーバリアダイオード及びそのショットキーバリアダイオードを内蔵した集積回路を提供することを目的としている。【解決手段】 半導体基板1に接触しショットキー接合する金属電極が複数金属により構成され、金属電極中央と金属電極端とで異なる金属を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板に接触しショットキー接合する金属層を有する整流素子において、前記金属層は複数の金属により形成されており、前記金属層中央と前記金属層端とで異なる金属が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/872 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L 29/48 F ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 27/08 321 N ,  H01L 29/48 M
Fターム (20件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG15 ,  4M104HH20 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-238021   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭54-015674
  • ショットキーバリアダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-182389   出願人：三洋電機株式会社
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