ショットキーバリアダイオード

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：安富耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-182389
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022178
出願日： 1998年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】バリアハイトΦBの異なる複数種類のバリア金属用いることにより、トレードオフの関係にある順方向電圧VFと逆方向電流IRの特性を任意に制御可能にしたSBD装置を得る。【解決手段】基板11上にN-型エピタキシャル層12を形成し、エピタキシャル層12表面に環状のP+ガードリング領域15を形成する。エピタキシャル層12表面の酸化膜に開口部を形成し、開口部表面に第1のショットキー障壁を形成するチタン層16と第2のショットキー障壁を形成するニッケル層17を形成する。ニッケル層を被覆するようにアルミ電極を形成する。チタン層16の接触面積とニッケル層17の接触面積との比によってSBDの特性を制御可能にする。

請求項（抜粋）：

シリコン層の表面にショットキー障壁を形成する金属層を設け、該金属の表面を電極材料で被覆したたショットキーバリアダイオードにおいて、前記シリコン層の表面に接触する金属層として、障壁高さの異なる少なくとも2種類の金属層を形成したことを特徴とするショットキーバリアダイオード。

Fターム (10件)：

4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104DD63 , 4M104FF17 , 4M104FF22 , 4M104GG03

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-238021 出願人：株式会社東芝
ショットキバリア半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-248755 出願人：新電元工業株式会社
特開昭62-193280

全件表示

前のページに戻る