特許
J-GLOBAL ID：200903050224070678

半導体装置、不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
菅谷 文孝

菅谷 文孝 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237846
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 書換え速度を高くすることができるとともに、ドレインと基板の間のPN接合の耐圧の低下やホットメルトキャリアの劣化を少なくして、信頼性の向上を図る。【解決手段】 複合ゲート構造32の他方の側部32に近接するシリコン基板1の表面部分に、1.0×1021/cm3 程度の濃度のn型不純物拡散層7を形成し、その外側を包囲するように、5.0×1020/cm3 〜2×1021atoms/cm3 の濃度のn型不純物拡散層8を形成し、更にこれを包囲するように、1.0×1018/cm3 〜1×1019atoms/cm3 の濃度のn型不純物拡散層9を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面上に、間に第1の絶縁膜を介して形成された、浮遊ゲート電極、第2の絶縁膜、及び制御ゲート電極の積層を含む複合ゲート構造と、前記半導体基板の前記複合ゲート構造の両側の領域に形成された一対の不純物拡散層とを有し、前記一対の不純物拡散層の少なくとも一方は、前記半導体基板の前記複合ゲート構造の下方部分に延びる延長領域を有し、該延長領域は第1、第2、第3の層をもち、前記第1、第2の層は第1、第2の不純物を互いに異なる第1、第2の濃度で含み、前記第3の層は第3の不純物を前記第1、第2の濃度の何れより高い第3の濃度で含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/115
FI (4件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 A ,  H01L 27/10 434
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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