特許

J-GLOBAL ID：200903050224559669

半導体装置の製造方法

発明者： 高橋 瑞子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-278739
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139192
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 絶縁特性についての信頼性の高い半導体装置を得ることのできる製造方法を提供する。【構成】 基板21上にポリサイド構造からなる下層配線層22、23を形成する工程と、これの上に第一の絶縁膜24を形成する工程と、下層配線層22、23、第一の絶縁膜24を同時にエッチングして下層配線25、第一絶縁膜26からなる下層配線パターン27を複数形成する工程と、下層配線パターン27を覆って絶縁薄膜28を形成する工程と、絶縁薄膜28上に第二の絶縁膜を形成する工程と、第二の絶縁膜をエッチングして下層配線パターン27の側壁部に側壁絶縁膜29を形成する工程と、下層配線パターン27、27間に形成された自然酸化膜30をエッチングして接続孔31を形成する工程と、接続孔31内に上層配線32を形成する工程とを備えてなる半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

基板上にポリサイド構造からなる下層配線層を形成する工程と、前記下層配線層上に第一の絶縁膜を形成する工程と、前記下層配線層および第一の絶縁膜を同時にエッチングして下層配線と第一絶縁膜とからなる下層配線パターンを複数並列させて形成する工程と、前記下層配線パターンを覆った状態で前記基板上に絶縁薄膜を形成する工程と、前記絶縁薄膜上に第二の絶縁膜を形成する工程と、前記第二の絶縁膜をエッチングして前記下層配線パターンの側壁部に前記第二の絶縁膜からなる側壁絶縁膜を形成する工程と、前記下層配線パターン間に形成された自然酸化膜の所定箇所をエッチングして接続孔を形成する工程と、前記接続孔内から前記下層配線パターン上を通る上層配線を形成する工程とを備えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 27/10 681 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019022   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平1-191474
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-247763   出願人：富士通株式会社
• 特開平1-191474