特許

J-GLOBAL ID：200903050278241656

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 東 清一郎 ,  鮫島 俊之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-234583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060690
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 薄膜トランジスタの製造工程に於いて、レーザー結晶化直後にpoly-Si膜中の欠陥を低減し、かつ熱的に安定な表面状態を実現する。【解決手段】 レーザー結晶化をおこなった後に不活性ガス希釈酸素プラズマ処理および水素プラズマ処理を真空中連続プロセスでおこなう。これらの処理は基板温度1000°C以上で行ない、水素プラズマ処理の時間は400秒以下である。また、酸素プラズマ処理は酸素ガスを不活性ガスによって10%以下に希釈して行なう。

請求項（抜粋）：

光照射により薄膜半導体を結晶化させることによってトランジスタの能動層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、該光照射をおこなった後水素プラズマおよび酸素プラズマによる処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 29/78 627 E ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (77件)：

5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA11 ,  5F052BA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA02 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA17 ,  5F110AA19 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF25 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP31 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-161472   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293547   出願人：シャープ株式会社