特許
J-GLOBAL ID：200903051091705442
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-161472
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008195
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 欠陥の少ない良質な多結晶半導体薄膜、表面準位の少ない良好な界面を形成するプロセスを与える。【解決手段】 非晶質半導体薄膜上に真空中でレーザー照射をおこなった後、酸素ガスまたは酸素ラジカルを導入し、この雰囲気中で該半導体膜に再びレーザー照射をおこなう。または、単に酸素ラジカルによって表面安定化をおこなう。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜にレーザービームを照射し結晶化することによって能動層を形成する薄膜トランジスタの製造方法において、真空中で前記レーザービーム照射をおこなった後、連続的に酸素ガス雰囲気中でレーザービーム照射をおこなうことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/268 F
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 F
